生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LBGA, | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 8.5 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX36 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7B323625M-HC650 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B323625M-HC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7B323625M-QC65 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7B323625M-QC6575 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7B323625M-QC75 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7B323625M-QC750 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7B323635C | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM | |
K7B323635C-PC750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 | |
K7B323635C-PC75T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, | |
K7B323635C-PI750 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 |