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K7B323625M-HC650

更新时间： 2024-09-30 14:43:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 367K
描述
Cache SRAM, 1MX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7B323625M-HC650 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：6.5 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B119
长度：22 mm内存密度：37748736 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：119
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

K7B323625M-HC650 数据手册

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K7B323625M  
K7B321825M  
1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
1Mx36 & 2Mx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1. Initial draft  
May. 10. 2001  
Advance  
0.1  
0.2  
0.3  
1. Add 165FBGA package  
1. Update JTAG scan order  
Aug. 29. 2001  
Dec. 03. 2001  
Feb. 14 . 2002  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
1. Change pin out for 165FBGA  
- x18/x36 ; 11B => from A to NC  
, 2R ==> from NC to A .  
0.4  
1. Insert pin at JTAG scan order of 165FBGA in connection with  
pin out change  
Apr. 20. 2002  
Preliminary  
- x18/x36 ; insert Pin ID of 2R to BIT number of 69  
0.5  
1.0  
1.1  
1. Add Icc, Isb, Isb1 and Isb2 values.  
1. Correct the pin name of 100TQFP.  
May. 10. 2002  
Oct. 15. 2002  
Oct. 17, 2003  
Preliminary  
Final  
1. Change the Stand-by current (Isb)  
Before After  
Final  
Isb - 65 : 100  
140  
130  
130  
110  
100  
- 75 :  
- 85 :  
90  
80  
90  
80  
Isb1  
Isb2  
:
:
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Oct. 2003  
- 1 -  
Rev 1.1  
1234567...29

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与K7B323625M-HC650相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7B323625M-HC750 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7B323625M-QC65 SAMSUNG

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 		1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
K7B323625M-QC6575 SAMSUNG

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 		1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
K7B323625M-QC75 SAMSUNG

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 		1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
K7B323625M-QC750 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7B323635C SAMSUNG

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 		1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM
K7B323635C-PC750 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-100
K7B323635C-PC75T SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100,
K7B323635C-PI750 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-100
K7B323635C-PI75T SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100,

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