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K7B323635C-PI75T

更新时间： 2024-09-30 20:54:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	437K
描述
Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100,

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K7B323635C-PI75T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	117 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e6
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.29 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn97Bi3)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7B323635C-PI75T 数据手册

K7B323635C

K7B321835C

1Mx36 & 2Mx18 Synchronous SRAM

36Mb Sync. Burst SRAM Specification

100LQFP with Pb / Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 March 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7B323635C-QI750	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, LQFP-100
K7B323635C-QI75T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100
K7B401825A-PC65	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100
K7B401825A-QC65	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100
K7B401825A-QC75	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100
K7B401825A-QC750	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7B401825A-QC80	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100
K7B401825A-QC800	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7B401825A-QC90	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 9ns, CMOS, PQFP100
K7B401825A-QC900	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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