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K7A803600B-HI14

更新时间： 2023-02-26 14:19:08
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 611K
描述
Cache SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7A803600B-HI14 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA,针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：3.8 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B119
长度：22 mm内存密度：9437184 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：119
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM宽度：14 mm
Base Number Matches：1

K7A803600B-HI14 数据手册

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K7A803600B  
K7A803200B  
K7A801800B  
256Kx36/x32 & 512Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
256Kx36 & 256Kx32 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
1.0  
Initial draft  
May. 18 . 2001 Preliminary  
June. 26. 2001 Preliminary  
1. Delete pass- through  
1. Add x32 org part and industrial temperature part  
1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA(x18)  
Aug. 11. 2001  
Aug. 28. 2001  
Nov. 16. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
1. Final spec release  
2. Change ISB2 form 50mA to 60mA  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Nov 2001  
Rev 1.0  
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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