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K6X0808T1D-GB850

更新时间： 2024-01-09 08:20:20

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	110K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

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K6X0808T1D-GB850 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.29 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8.38 mm
Base Number Matches：	1

K6X0808T1D-GB850 数据手册

K6X0808T1D Family

CMOS SRAM

Document Title

32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

Initial draft

October 09, 2002

Preliminary

0.1

revised

November 08, 2002

Preliminary

- errata : corrected 28-SOP-525 to 28-SOP-450 in pakage type

0.2

1.0

revised

- Added commercial product.

March 27, 2003

Preliminary

Final

Finalized

December 16, 2003

- Changed ICC from 3mA to 2mA

- Changed ICC2 from 25mA to 20mA

- Changed ISB from 3mA to 0.4mA

- Changed ISB1 for K6X0808T1D-F from 10µA to 6µA

- Changed ISB1 for K6X0808T1D-F from 20µA to 10µA

- Changed IDR for K6X0808T1D-F 10µA to 6µA

- Changed IDR for K6X0808T1D-Q 20µA to 10µA

- Errata correction

2.0

Revised

March 27, 2005

Final

- Changed ISB1 of Automotive product from 10µA to 25µA

- Changed IDR of Automotive product from 10µA to 25µA

- Added Lead Free Products

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and

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Revision 2.0

March 2005

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