Datasheet > 存储 > SRAM> K6T4008U1C-GF70

K6T4008U1C-GF70

更新时间： 2024-02-15 17:08:30

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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10页	188K
描述
512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

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K6T4008U1C-GF70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP, SOP32,.56	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP32,.56	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.03 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K6T4008U1C-GF70 数据手册

K6T4008V1C, K6T4008U1C Family

CMOS SRAM

Document Title

512Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

0.1

Initial Draft

January 13, 1998

June 12, 1998

Advance

Revisied

Preliminary

- Speed bin change

KM68U4000C : 85/100ns ® 70/85/100ns

- DC Characteristics change

ICC : 5mA at read/write ® 4mA at read

ICC1 : 3mA ® 4mA

ICC2 : 35mA ® 30mA

ISB : 0.5mA ® 0.3mA

ISB1 : 10mA ® 15mA for commercial parts

- Add 32-TSOP1-0820

0.11

1.0

Errata correct

- 32-TSOP1-0813 products: T ® TG

November 7, 1998

January 15, 1999

Finalize

Final

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 1.0

January 1999

12 3 4 5 6 7...10

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