是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.82 |
最长访问时间: | 10 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.075 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
K6R4016V1D-UL080 | SAMSUNG | Standard SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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K6R4016V1D-UL08T | SAMSUNG | Standard SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PDSO44 |
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K6R4016V1D-UP10T | SAMSUNG | Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44 |
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K6S1.52NOD | ITT | Miniature Key Switches |
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K6S1.52NODL302 | ITT | Miniature Key Switches |
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K6S1.52NODL306 | ITT | Miniature Key Switches |
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