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K6L0908C2A-GB70

更新时间： 2024-02-24 20:35:25

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	146K
描述
64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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K6L0908C2A-GB70 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	20.47 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

K6L0908C2A-GB70 数据手册

K6L0908C2A Family

CMOS SRAM

Document Title

64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Data

Remark

0.0

Initial draft

Novemer 28, 1993

May 13, 1994

Design target

Preliminary

Final

0.1

1.0

2.0

Revision

Finalize

December 1, 1994

August 12, 1995

Revision

Final

- Add 45ns part with 30pf test load.

3.0

4.0

Revision

April 15, 1996

Final

- Change Data Sheet format :

One data sheets for industrial and commercial product

Revision

January 9, 1998

- Change Data Sheet format

- Remove 45ns part from commercial product and 100ns part

from industrial product

- Remove low power part form TSOP package

The attached data, sheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 4.0

January 1997

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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