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K6L0908U2A-GD10T

更新时间： 2024-01-26 10:10:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32

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K6L0908U2A-GD10T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP, SOP32,.56	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6L0908U2A-GD10T 数据手册

K6L0908V2A, K6L0908U2A Family

CMOS SRAM

Document Title

64Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

0.1

Design target

January 17, 1996

April 15, 1996

Advance

Initial draft

Preliminary

- One datasheet for commercial, extended and industrial product.

- Add 85ns part on KM68V512AFamily.

1.0

2.0

Finalize

June 17, 1996

Final

Revise

September 10, 1996

- Add 32-sTSOP type package on product.

3.0

Revise

February 12, 1998

Final

- Change datasheet format

- Improve power dissipation 0.7 to 1.0W

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 3.0

February 1998

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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