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K4T1G164QD-ZCCC

更新时间： 2024-02-09 15:01:19

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	589K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZCCC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	JESD-609代码：	e3
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	84	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	组织：	64MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA84,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.245 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4T1G164QD-ZCCC 数据手册

K4T1G084QD

K4T1G164QD

DDR2 SDRAM

3.2 x16 package pinout (Top View) : 84ball FBGA Package

VDD

DQ14

VDDQ

DQ12

VSS

VSSQ

UDQS

VDDQ

DQ10

UDQS

VSSQ

DQ8

VDDQ

DQ15

VDDQ

DQ13

VSSQ

DQ9

UDM

VDDQ

DQ11

VSSQ

VDD

DQ6

VSS

VSSQ

LDQS

VDDQ

DQ2

VDDQ

DQ7

LDQS

VSSQ

DQ0

VSSQ

DQ1

LDM

VDDQ

DQ3

VDDQ

DQ4

VDDQ

DQ5

VSSQ

VDDL

VREF

CKE

VSS

VSSDL

RAS

VDD

ODT

BA2

VSS

BA0

BA1

CAS

A10/AP

VDD

VSS

A11

VDD

A12

Note :

1. VDDL and VSSDL are power and ground for the DLL.

2. In case of only 8 DQs out of 16 DQs are used, LDQS,

LDQSB and DQ0~7 must be used.

: Populated Ball

Ball Locations (x16)

: Depopulated Ball

Top View (See the balls through the Package)

+ + +

4 of 29

Rev. 1.0 March 2007

1...3 4 567 8 9...27

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