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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4S641632K-UL75T | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL |
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|
| K4S641632K-UP600 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INTCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPL |
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|
| K4S641632N | SAMSUNG | SDRAM Product Guide |
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|
| K4S641632N-LC500 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 8MX8, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM, HALOGEN FREE AND |
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| K4S641632N-LC60T | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54 |
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| K4S641632N-LC75T | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54 |
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