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K4S283233E-DG1L

更新时间： 2023-06-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	81K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90

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K4S283233E-DG1L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	90	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4S283233E-DG1L 数据手册

K4S283233E-S(D)E/N/G/C/L/F

Mobile-SDRAM

1M x 32Bit x 4 Banks SDRAM in 90FBGA

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

The K4S283233E is 134,217,728 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32

bits, fabricated with SAMSUNG¢s high performance CMOS

technology. Synchronous design allows precise cycle control

with the use of system clock and I/O transactions are possible

on every clock cycle. Range of operating frequencies, program-

mable burst lengths and programmable latencies allow the

same device to be useful for a variety of high bandwidth and

high performance memory system applications.

• 3.0V & 3.3V power supply

• LVCMOS compatible with multiplexed address

• Four banks operation

• MRS cycle with address key programs

-. CAS latency (1, 2 & 3)

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

-. Burst type (Sequential & Interleave)

• EMRS cycle with address key programs.

-. PASR(Partial Array Self Refresh)

-. Internal TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface Package

• Burst read single-bit write operation

• DQM for masking

K4S283233E-S(D)E/N/G/C/L/F60 166MHz(CL=3)

133MHz(CL=3)

K4S283233E-S(D)E/N/G/C/L/F75

105MHz(CL=2)

90FBGA

• Auto & self refresh

LVCMOS

• 64ms refresh period (4K cycle).

K4S283233E-S(D)E/N/G/C/L/F1H 105MHz(CL=2)

(Pb Free)

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• 90Balls Monolithic FBGA(11mm x 13mm)

• Pb for -SXXX, Pb Free for -DXXX.

K4S283233E-S(D)E/N/G/C/L/F1L

105MHz(CL=3)

- S(D)E/N/G : Normal/Low Power, Extended Temperature.

- S(D)C/L/F : Normal/Low Power, Commercial Temperature.

Note :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

1M x 32

DQi

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

LCKE

Programming Register

LWCBR

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

May. 2003

12 3 4 5 6 7...10

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