Datasheet > K4S283233E-FC1L0

K4S283233E-FC1L0

更新时间： 2024-01-06 18:10:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	78K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4S283233E-FC1L0 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

K4S283233E-FC1L0 数据手册

K4S283233E-F(H)E/N/G/C/L/F

Mobile-SDRAM

1M x 32Bit x 4 Banks SDRAM in 90FBGA

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

The K4S283233E is 134,217,728 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32

bits, fabricated with SAMSUNG¢s high performance CMOS

technology. Synchronous design allows precise cycle control

with the use of system clock and I/O transactions are possible

on every clock cycle. Range of operating frequencies, program-

mable burst lengths and programmable latencies allow the

same device to be useful for a variety of high bandwidth and

high performance memory system applications.

• 3.0V & 3.3V power supply

• LVCMOS compatible with multiplexed address

• Four banks operation

• MRS cycle with address key programs

-. CAS latency (1, 2 & 3)

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

-. Burst type (Sequential & Interleave)

• EMRS cycle with address key programs.

-. PASR(Partial Array Self Refresh)

-. Internal TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface Package

• Burst read single-bit write operation

• DQM for masking

K4S283233E-F(H)E/N/G/C/L/F60 166MHz(CL=3)

133MHz(CL=3)

K4S283233E-F(H)E/N/G/C/L/F75

105MHz(CL=2)

90FBGA

• Auto & self refresh

LVCMOS

• 64ms refresh period (4K cycle).

K4S283233E-F(H)E/N/G/C/L/F1H 105MHz(CL=2)

(Pb Free)

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• 90Balls Monolithic FBGA(9mm x 13mm)

• Pb for -FXXX, Pb Free for -HXXX.

K4S283233E-F(H)E/N/G/C/L/F1L

105MHz(CL=3)

- F(H)E/N/G : Normal/Low Power, Extended Temp.

- F(H)C/L/F : Normal/Low Power, Commercial Temp.

Note :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

1M x 32

DQi

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

LCKE

Programming Register

LWCBR

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

DQM

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

May. 2003

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与K4S283233E-FC1L0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S283233E-FE1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FE600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FF1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FF1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FG1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FL750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FN1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FN1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-FN600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, FBGA-90
K4S283233E-HC600	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 9 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90

与K4S283233E-FC1L0相关文章

BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
2024-06-21

6
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
2024-06-21

9
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
2024-06-21

6
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
2024-06-21

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S283233E-FC1L0

K4S283233E-FC1L0 技术参数

K4S283233E-FC1L0 数据手册

与K4S283233E-FC1L0相关器件

与K4S283233E-FC1L0相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4S283233E-FC1L0

K4S283233E-FC1L0 技术参数

K4S283233E-FC1L0 数据手册

与K4S283233E-FC1L0相关器件

与K4S283233E-FC1L0相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？