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K4M56323LD-EN1L

更新时间： 2024-01-14 09:25:38

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	65K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

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K4M56323LD-EN1L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8/2.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.45 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0012 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.27 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4M56323LD-M(E)N/U/P

CMOS SDRAM

8Mx32

Mobile SDRAM

90FBGA

(VDD/VDDQ 2.5V/1.8V or 2.5V/2.5V)

Revision 1.1

December 2002

Rev. 1.1 Dec. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4M56323LD-ES80	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4M56323LD-MUP1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4M56323LE	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC1H	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC1L	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90
K4M56323LE-EC80	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC800	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90
K4M56323LE-EE1H	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EE1L	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA