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K4M56323LD-MUP1L

更新时间： 2023-01-02 21:51:57

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	65K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

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K4M56323LD-MUP1L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.83
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.45 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4M56323LD-M(E)N/U/P

CMOS SDRAM

8Mx32

Mobile SDRAM

90FBGA

(VDD/VDDQ 2.5V/1.8V or 2.5V/2.5V)

Revision 1.1

December 2002

Rev. 1.1 Dec. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4M56323LE	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC1H	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC1L	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90
K4M56323LE-EC80	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EC800	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90
K4M56323LE-EE1H	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EE1L	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4M56323LE-EE1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90
K4M56323LE-EE80	SAMSUNG	获取价格	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA