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K4M563233E-EN1H0

更新时间： 2023-02-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	141K
描述
Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90

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K4M563233E-EN1H0 数据手册

K4M563233E - M(E)E/N/G/C/L/F

Mobile-SDRAM

Package Dimension and Pin Configuration

< Bottom View^*1

< Top View^*2

E₁

90Ball(6x15) FBGA

DQ26 DQ24

VSS

VSSQ

VDD

VDDQ

DQ23 DQ21

DQ28

VSSQ

VDDQ

VSS

VDDQ

VSSQ

DQ19

VDDQ

VSSQ

VDD

DQ27 DQ25 DQ22 DQ20

DQ29 DQ30 DQ17 DQ18

DQ31

DQM3

DQ16

DQM2

A10

BA1

A11

CLK

CKE

BA0

CAS

VDD

DQ6

DQ1

VDDQ

VDD

RAS

DQM0

VSSQ

VDDQ

DQ4

DQ2

DQM1

VDDQ

VSSQ

DQ11

VSS

DQ9

DQ8

DQ10

DQ7

DQ5

DQ3

VSSQ

DQ0

DQ12 DQ14

VDDQ

VSSQ

VSS

DQ13 DQ15

E/2

Pin Name

Pin Function

System Clock

Chip Select

Clock Enable

Address

CLK

CKE

A0 ~ A11

BA0 ~ BA1

RAS

Substrate(2Layer)

Bank Select Address

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

< Top View^*2

CAS

#A1 Ball Origin Indicator

DQM0 ~ DQM3

DQ0 ~ 31

Data Input/Output Mask

Data Input/Output

VDD/VSS

Power Supply/Ground

VDDQ/VSSQ

Data Output Power/Ground

[Unit:mm]

Symbol

Min

Typ

1.30

0.35

11.00

6.40

13.00

11.20

0.80

0.45

Max

A₁

1.40

0.30

0.40

E₁

D₁

0.40

0.50

0.10

February 2004

1 234 5 6 7...12

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STM32F103C8T6 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表

与K4M563233E-EN1H0相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4M563233E-EN1L	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90	获取价格
K4M563233E-EN1L0	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
K4M563233E-EN75	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90	获取价格
K4M563233E-EN800	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
K4M563233E-F1H	SAMSUNG	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA	获取价格
K4M563233E-F1L	SAMSUNG	2M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA	获取价格