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K4F640412D-JP450

更新时间： 2023-04-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 171K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32,

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K4F640412D-JP450 数据手册

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Industrial Temperature  
K4F660412D,K4F640412D  
CMOS DRAM  
CAPACITANCE (TA=25°C, VCC=3.3V, f=1MHz)  
Parameter  
Input capacitance [A0 ~ A12]  
Symbol  
CIN1  
Min  
Max  
Units  
pF  
-
-
-
5
7
7
Input capacitance [RAS, CAS , W, OE]  
Output capacitance [DQ0 - DQ3]  
CIN2  
pF  
CDQ  
pF  
AC CHARACTERISTICS (-40°C£TA£85°C, See note 2)  
Test condition : VCC=3.3V±0.3V, Vih/Vil=2.2/0.7V, Voh/Vol=2.0/0.8V  
-45  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol  
Units  
Note  
Min  
80  
Max  
Min  
90  
Max  
Min  
110  
153  
Max  
Random read or write cycle time  
Read-modify-write cycle time  
Access time fromRAS  
tRC  
ns  
ns  
115  
133  
tRWC  
tRAC  
tCAC  
tAA  
45  
12  
23  
50  
13  
25  
60  
15  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3,4,10  
3,4,5  
3,10  
3
Access time fromCAS  
Access time from column address  
CAS to output in Low-Z  
0
0
0
0
tCLZ  
tOFF  
tT  
Output buffer turn-off delay  
Transition time (rise and fall)  
RAS precharge time  
13  
50  
0
13  
50  
0
13  
50  
6
1
1
1
2
25  
45  
12  
45  
12  
18  
13  
5
30  
50  
13  
50  
13  
20  
15  
5
40  
60  
15  
60  
15  
20  
15  
5
tR P  
RAS pulse width  
10K  
10K  
10K  
tRAS  
tRSH  
tCSH  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tASC  
tCAH  
tRAL  
tRCS  
tRCH  
tRRH  
tWCH  
tW P  
RAS hold time  
CAS hold time  
CAS pulse width  
10K  
33  
10K  
37  
10K  
45  
RAS to CAS delay time  
4
RAS to column address delay time  
CAS to RAS precharge time  
Row address set-up time  
Row address hold time  
22  
25  
30  
10  
0
0
0
8
10  
0
10  
0
Column address set-up time  
Column address hold time  
Column address to RAS lead time  
Read command set-up time  
Read command hold time referenced to CAS  
Read command hold time referenced to RAS  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command toRAS lead time  
Write command toCAS lead time  
Data set-up time  
0
8
10  
25  
0
10  
30  
0
23  
0
0
0
0
8
8
0
0
0
8
10  
10  
15  
13  
0
10  
10  
15  
15  
0
8
13  
12  
0
tRWL  
tCWL  
tD S  
9
9
Data hold time  
tDH  
10  
10  
10  
12345678...20

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与K4F640412D-JP450相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4F640412D-JP500 SAMSUNG Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32,

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