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K4F640412C-JL600

更新时间： 2024-01-20 10:57:08

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	367K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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K4F640412C-JL600 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.71
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
长度：	20.96 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4F640412C-JL600 数据手册

K4F660412C,K4F640412C

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4F660412C-T

• K4F640412C-T

• K4F660412C-J

• K4F640412C-J

VCC

DQ0

DQ1

N.C

32 VSS

VCC

DQ0

DQ1

N.C

RAS

VSS

DQ3

DQ2

N.C

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

31 DQ3

30 DQ2

29 N.C

28 N.C

27 N.C

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VCC 16

20 A8

19 A7

18 A6

17 VSS

VSS

VCC

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 3

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...20

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与K4F640412C-JL600相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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