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K4F640412B-TC45

更新时间： 2023-01-03 06:43:36

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
20页	369K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4F640412B-TC45 数据手册

K4F660412B,K4F640412B

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4F660412B-T

• K4F640412B-T

• K4F660412B-J

• K4F640412B-J

VCC

DQ0

DQ1

N.C

32 VSS

VCC

DQ0

DQ1

N.C

RAS

VSS

DQ3

DQ2

N.C

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

31 DQ3

30 DQ2

29 N.C

28 N.C

27 N.C

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VCC 16

20 A8

19 A7

18 A6

17 VSS

VSS

VCC

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 3

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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