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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 50 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| 长度： | 20.95 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4E661611D-TC50T | SAMSUNG | EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50 |
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| K4E661611D-TC60 | SAMSUNG | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E661611D-TC600 | SAMSUNG | EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| K4E661612B | SAMSUNG | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E661612B-L | SAMSUNG | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E661612B-TC | SAMSUNG | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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