5秒后页面跳转
K43160C1EB1S PDF预览

K43160C1EB1S

更新时间: 2024-01-11 08:25:46
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

K43160C1EB1S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:R-XXMA-XReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.47
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-XXMA-X
JESD-609代码:e0相数:1
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

K43160C1EB1S 数据手册

 浏览型号K43160C1EB1S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K43160C1EB1S的Datasheet PDF文件第3页 

与K43160C1EB1S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K43160C1EN1S MICROSEMI Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

获取价格

K43160C1FB1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

K43160C1FC1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

K43160C1FN1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

K43160C1TB1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

K43160C1TBC1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格