是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP44,.63 |
针数: | 44 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.28 | 最长访问时间: | 100 ns |
备用内存宽度: | 8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 28.5 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 44 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP44,.63 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.1 mm |
最大待机电流: | 0.00003 A | 子类别: | MASK ROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 12.6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K3N5V1000E-GC12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N5V1000E-GC120 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N5V1000E-TC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N5V1000E-TC100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N5V1000E-TC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N5V1000E-TC120 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N5V1000F-DC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N5V1000F-DC12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N5V1000F-DC120 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N5V1000F-GC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 |