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K21160Q1EB1S

更新时间: 2024-01-26 20:35:49
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 280K
描述
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink

K21160Q1EB1S 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.5Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-XJESD-609代码:e0
相数:1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

K21160Q1EB1S 数据手册

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