JX2N7228

更新时间： 2024-01-22 09:31:48

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ADPOW		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网高电压电源
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4页	65K
描述
JEDEC REGISTERED N - CHANNEL HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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JX2N7228 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.515 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-S-19500/592	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JX2N7228 数据手册

2N7228

UNIT

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Characteristic

Test Conditions

Symbol

C_DC

C_iss

C_oss

C_rss

Q_g

MIN

TYP

MAX

Drain-to-Case Capacitance

Input Capacitance

f = 1 MHz

2410

356

125

103

2900

530

235

150

V_GS= 0V

V_DS= 25V

f = 1 MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain ("Miller") Charge

Turn-on Delay Time

Rise Time

V_GS= 10V

Q_gs

V_DD= 0.5 V_DSS

I_D= I_D[Cont.] @ 25°C

Q_gd

t_d(on)

t_r

V_GS= 10V

V_DD= 0.5 V_DSS

I_D= I_D[Cont.] @ 25°C

R_G= 2.35Ω

190

170

130

t_d(off)

t_f

Turn-off Delay Time

Fall Time

SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

I_S

Continuous Source Current (Body Diode)

Amps

I_SM

V_SD

t _rr

Pulsed Source Current

Diode Forward Voltage

(Body Diode)

(V_GS= 0V, I_S= -I_D[Cont.])

1.7

Volts

Reverse Recovery Time (I_S= -I_D[Cont.], dl_S/dt = 100A/µs)

Reverse Recovery Charge (I_S= -I_D[Cont.], dl_S/dt = 100A/µs)

296

3.5

1600

Q _rr

8.8

µC

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic

MIN

TYP

MAX

UNIT

R_θJC

R_θJA

Junction to Case

0.83

K/W

Junction to Ambient

Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. See Transient Thermal Impedance Curve. (Fig.1)

Pulse Test: Pulse width < 380 µS, Duty Cycle < 2%

1.0

D=0.5

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

Note:

0.01

SINGLE PULSE

0.005

Duty Factor D =

Peak T = P x Z

+ T

θJC

0.001

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

1.0

RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)

FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION

123 4

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