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JX020K

更新时间： 2024-01-31 15:02:15

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
10页	1105K
描述
门极灵敏型单向可控硅

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JX020K 数据手册

JX020K

JieJie Microelectronics CO. , Ltd.

Peak gate power

P_GM

V_pp

Peak pulse voltage

(T_j=25℃; non-repetitive,off-state;FIG.8)

0.5

NOTE 1: When we parallel connect a ≤1KΩ resistor between Gate and Cathode, the T_jcan

reach 125℃; if without this resistor, the T_jonly can reach 110℃.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_j=25℃unless otherwise specified)

Value

Symbol

Test Condition

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

I_GT

V_GT

V_GD

I_L

0.6

200

μA

V_D=12V R_L=33Ω

0.2

0.8

V_D=V_DRMT_j=125℃

I_G=1.2 I_GT

I_H

I_T=0.05A

V_D=400V T_j=25℃ R_GK=1KΩ

V_D=400V T_j=25℃ R_GK=220Ω

100

dV/dt

V/μs

t_on

t_off

μs

I_G=10mA I_A=20mA I_R=2mA

T_j=25℃

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

T_j=25℃

Value(MAX.)

Unit

V_TM

V_TO

R_D

I_T=4A t_p=380μs

1.5

0.8

0.07

Threshold voltage

Dynamic Resistance

T_j=125℃

T_j=25℃

I_DRM

I_RRM

μA

V_D=V_DRMV_R=V_RRM

T_j=125℃

0.2

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

junction to case (DC)

junction to ambient (DC, in free air, S=5 cm²)

Value

Unit

℃/W

R_th(j-c)

R_th(j-a)

120

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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