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JST30Z-800BW

更新时间： 2023-12-06 19:45:37

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	963K
描述
三象限双向可控硅

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JST30Z-800BW 数据手册

JST30Z-800BW

JieJie MicroelectronicsCO. , Ltd.

FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS

FIG.2: RMS on-state current versus case

on-state current

temperature

_T(RMS)(A)

P(W)

79℃

_T(RMS)(A)

100

125

T_C(℃)

FIG.3: Surge peak on-state current versus

FIG.4: On-state characteristics

number of cycles

I_TM(A)

I_TSM(A)

350

300

250

200

150

100

T =25℃,t_p=20ms,one cycle,sine

Tj=25℃ typ

Tj=25℃ max

Tj=125℃ typ

100

0.5

1.5

V_TM(V)

2.5

1.E+0

1.E+1

1.E+2

1.E+3

1.E+4

1.E+5

Number of cycles

FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state current

for a sinusoidal pulse with width t_p<20ms, and

corresponding value of I²t (dI/dt<100A/μs)

FIG.6: Relative variations of gate trigger

current, holding current and latching

current versus junction temperature

I_GT,I_H,I_L(Tj)/I_GT,I_H,I_L(T_j=25℃)

_TSM(A), I²t(A²s)

IGT(I/II)&IH

IGT(III)

I_TSM

I²t

2.5

1000

100

dI/dt

1.5

0.5

‐40

‐20

100

120

140

0.01

0.1

T_j(℃)

t_p(ms)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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