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JST30Z-800BW

更新时间： 2023-12-06 19:45:37

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捷捷微 - JJM		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	963K
描述
三象限双向可控硅

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JST30Z-800BW 数据手册

JST30Z-800BW

JieJie MicroelectronicsCO. , Ltd.

Average gate power dissipation (T_j=125℃)

P_G(AV)

P_GM

0.5

Peak gate power

Peak pulse voltage

(T_j=25℃; non-repetitive,off-state;FIG.7)

V_pp

2.5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T_j=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

I_GT

Test Condition

Quadrant

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

Value

Unit

MAX.

V_D=12V R_L=33Ω

V_GT

1.3

V_D=V_DRMT_j=125℃

R_L=3.3KΩ

V_GD

Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ

MIN.

0.15

Ⅰ-Ⅲ

100

I_L

MAX.

I_G=1.2I_GT

Ⅱ

I_H

I_T=500mA

MAX.

MIN.

V/μs

A/ms

dV/dt

V_D=540V Gate Open T_j=125℃

2000

(dI/dt)c (dV/dt)c=20V/μs Tj=125℃

t_on

I_G=80mA I_A=400mA I_R=40mA

T_j=25℃

TYP.

μs

t_off

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

V_TM

Parameter

I_TM=42A t_p=380μs

Value(MAX.)

Unit

T_j=25℃

T_j=125℃

T_j=25℃

T_j=125℃

1.5

0.72

VTO

Threshold voltage

Dynamic resistance

mΩ

μA

I_DRM

I_RRM

V_D=V_DRMV_R=V_RRM

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

junction to case (AC)

junction to ambient (AC)

Value

1.1

Unit

℃/W

R_th(j-c)

R_th(j-a)

TEL：+86-513-68528666

http://www.jjwdz.com

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