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JST12A-1000C

更新时间: 2023-12-06 20:10:58
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捷捷微 - JJM 可控硅
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8页 973K
描述
四象限双向可控硅

JST12A-1000C 数据手册

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JST12A-1000C  
JieJie Microelectronics Co., Ltd.  
FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS  
FIG.2: RMS on-state current versus case  
on-state current  
temperature  
IT(RMS)(A)  
14  
P(W)  
25  
87  
12  
20  
15  
10  
5
10  
8
6
4
2
0
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
0
25  
50  
75  
100  
125  
I
T(RMS)(A)  
TC()  
FIG.3: Surge peak on-state current versus  
FIG.4: On-state characteristics  
number of cycles  
I
TM(A)  
ITSM(A)  
140  
120  
100  
80  
Tc=25,tp=20ms,one cycle,sine  
Tj=25typ  
Tj=25max  
Tj=125typ  
100  
10  
1
60  
40  
20  
0
1.E+0  
1.E+1  
1.E+2  
1.E+3  
1.E+4  
1.E+5  
0
1
2
3
4
5
Number of cycles  
V
TM(V)  
FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state current  
for a sinusoidal pulse with width tp<20ms, and  
corresponding value of I2t (-: dI/dt<80A/μs;  
-: dI/dt<40A/μs)  
FIG.6: Relative variations of gate trigger  
current, holding current and latching  
current versus junction temperature  
ITSM(A), I2t(A2s)  
I
GT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25)  
IGT(I/II/III)  
3
2.5  
2
dI/dt(I/II)  
1000  
IGT(IV)  
IH  
ITSM  
dI/dt(III/IV)  
IL  
I2t  
100  
10  
1
1.5  
1
0.5  
0
‐40  
‐20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
0.01  
0.1  
1
10  
Tj()  
tp(ms)  
TEL:+86-513-68528666  
http://www.jjwdz.com  
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