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JEU15N3

更新时间： 2023-12-06 20:11:12

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捷捷微 - JJM		/
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6页	226K
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静电保护器件

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JEU15N3 数据手册

JEU15N3 for ESD Protection

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃, RH=45%-75%, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation on 8/20μs

waveform

P_PP

4500

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

+/- 30

V_ESD

Lead soldering temperature

T_L

T_J

260 (10 sec.)

-55 to +125

-55 to +150

℃

Operating junction temperature range

Storage temperature range

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Parameter

Symbol

V_RWM

V_BR

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Reverse working voltage

Reverse breakdown voltage

Reverse leakage current

I_T=1mA

17.5

I_R

V_RWM=15V

μA

I_PP=50A, tp=8/20μs

I_PP=100A, tp=8/20μs

I_PP=150A, tp=8/20μs

V_RWM=0V, f=1MHz

Clamping voltage

V_C

C_J

Junction capacitance

950

1200

RATINGS AND V‐I CHARACTERISTICS CURVES (T_A=25℃, unless otherwise noted)

FIG.1:V- I curve characteristics

(Uni-directional)

FIG.2: Pulse waveform (8/20μs)

Percent of I^PPM

front time: T1 = 1.25×T = 8×(1±20%)μs

time to half value: T2 = 20×(1±20%)μs

Peak value

100

Half value

VBR

VRWM

I^R

t(μs)

IPP

TEL：+86-513-83639777

- 2 / 6-

http://www.jjwdz.com

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