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JEB07DS-A

更新时间： 2023-12-06 20:11:53

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静电保护器件

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JEB07DS-A 数据手册

JEB07DS‐A for ESD Protection

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃)

Parameter

Symbol

V_RWM

V_BR

Conditions

Min Typ Max

Unit

Reverse working voltage

Reverse breakdown voltage

Reverse leakage current

Peak pulse current

7.0

I_T=1mA

7.2

10.5

100

I_R

V_RWM=7V

I_PP

t_P=8/20μs

I_PP=1A,t_P=8/20μs

I_PP=6A,t_P=8/20μs

Clamping voltage

V_C

C_J

V_RWM=0V,f=1MHz

Junction capacitance

V_RWM=7V,f=1MHz

RATINGS AND V‐I CHARACTERISTICS CURVES (T_A=25ºC, unless otherwise noted)

FIG.2: Pulse waveform (8/20μs)

FIG.1:V- I curve characteristics

(Bi-directional)

Percent of I^PPM

front time: T1 = 1.25×T = 8×(1±20%)μs

time to half value: T2 = 20×(1±20%)μs

Peak value

100

I^PP

Half value

V^CVBR

VBR

t(μs)

I^PP

FIG.3: Pulse derating curve

FIG.4: ESD clamping (30KV contact)

PPP derating in percentage(%)

100

Percent of I^PPM

100

30ns

60ns

T^A(℃)

75 100

t(ns)

125

150

175

tr 0.7 to 1ns

TEL：+86-513-83639777

-2 / 6-

http://www.jjwdz.com

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