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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| JD225003 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 30A I(D) |
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| JD225005 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 50A I(D) |
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| JD234575 | ETC | TRANSISTOR | MOS-BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 450V V(BR)CEO | 75A I(C) |
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| JD235075 | ETC | TRANSISTOR | MOS-BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CEO | 75A I(C) |
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| JD27256-20 | INTEL | UVPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CDIP28, |
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| JD27256-25 | INTEL | UVPROM, 32KX8, 250ns, MOS, CDIP28, |
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