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JANTXVIN6629US

更新时间: 2024-02-24 14:56:20
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美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 264K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.15A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, 2 PIN

JANTXVIN6629US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.92
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:ULTRA FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:75 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:1.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANTXVIN6629US 数据手册

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1N6626US thru 1N6631US  
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED  
SURFACE MOUNT ULTRA FAST  
RECOVERY GLASS RECTIFIERS  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
FIGURE 3  
FIGURE 4  
Typical Reverse Current vs.  
Applied Reverse Voltage  
Typical Reverse Current vs.  
Applied Reverse Voltage  
10ms  
FIGURE 5  
FIGURE 6  
Forward Pulse Current vs.  
Pulse Duration  
Reverse Pulse Power vs.  
Pulse Duration  
Copyright © 2007  
6-07-2007 REV D  
Microsemi  
Page 3  
Scottsdale Division  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  

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