生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500/127 |
标称参考电压: | 12 V | 最大反向电流: | 1 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 20 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N759ATR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759ATR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759AUR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759AUR-1 | CDI-DIODE |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT | |
JANTXV1N759AUR-1 | MICROSEMI |
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LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT | |
JANTXV1N759AURTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759AURTR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759B | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759B-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES | |
JANTXV1N759BTR | MICROSEMI |
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SILICON 400 mW ZENER DIODES |