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JANTX2N4854U PDF预览

JANTX2N4854U

更新时间： 2024-10-01 20:20:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-6

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JANTX2N4854U 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.26Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-XDSO-N6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/421G
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

JANTX2N4854U 数据手册

 浏览型号JANTX2N4854U的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN/PNP SILICON COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL DUAL  
TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/421  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N4854  
2N3838  
JANTX  
JANTXV  
2N4854U  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Sym  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
2N3838(2)  
2N4854, U  
Unit  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
60  
40  
60  
Vdc  
5.0  
600  
5.0  
600  
Vdc  
mAdc  
TO-78*  
2N4854  
One  
Total  
One  
Total  
Trans Devic Trans Device  
e
0.25(2)  
0.7(4)  
0.35  
1.4  
0.30(3)  
1.0(5)  
0.60  
2.0  
Total Power Dissipation @ TA = +250C  
@ TC = + 250C(1)  
Operating & Storage Junction Temp. Range  
W
W
0C  
PT  
TJ  
6 Pin Surface Mount*  
2N4854U  
200  
Operating & Storage Junction Temp. Range  
Lead to Case Voltage  
-55 to +200  
0C  
T
stg  
Vdc  
±120  
1) TC rating do not apply to Surface Mount devices (2N4854U)  
2) For TA > +250C Derate linearly 1.43 mW/0C (one transistor) 2.00 mW/0C (both transistors)  
3) For TA > +250C Derate linearly 1.71 mW/0C (one transistor) 3.43 mW/0C (both transistors)  
4) For TC > +250C Derate linearly 4.0 mW/0C (one transistor) 8.0 mW/0C (both transistors)  
6 Lead Flatpack*  
2N3838  
*See MILPRF19500/421  
5) For TC > +250C Derate linearly 5.71 mW/0C (one transistor) 11.43 mW/0C (both transistors)  
for package dimensions.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10 mAdc  
40  
Dc  
V(BR)CEO  
ICBO(1)  
ICBO(2)  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 60 Vdc  
10  
µAdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 50 Vdc  
2N3838  
50  
10  
ηAdc  
2N4854, U  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0 Vdc  
VEB = 3.0 Vdc  
10  
10  
µAdc  
ηAdc  
IEBO  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
42103  
Page 1 of 2  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
12

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JANTX2N4854U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N4854U MICROSEMI

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