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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANHCF1N5809
JANHCF1N5809 PDF预览

JANHCF1N5809

更新时间： 2024-09-29 22:31:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS

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JANHCF1N5809 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：S-XUUC-N1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.56
Is Samacsys：N应用：FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N1
JESD-609代码：e0元件数量：1
相数：1端子数量：1
最大输出电流：6 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/477
最大反向恢复时间：0.03 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

JANHCF1N5809 数据手册

 浏览型号JANHCF1N5809的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANHCF1N5809的Datasheet PDF文件第3页 
7516 Central Industrial Drive  
Riviera Beach, Florida  
33404  
PHONE: (561) 842-0305  
FAX: (561) 845-7813  
1N5807  
1N5809  
1N5811  
JANHCE and JANKCE  
JANHCF and JANKCF  
FEATURES:  
·
·
·
·
·
·
·
·
Chip Outline Dimensions: 68 x 68 mils  
Chip Thickness: 8 to 12 mils  
Anode Metallization: Aluminum  
Metallization Thickness: 70,000Ã Nominal  
Bonding Area: 42 x 42 mils Min.  
Back Metallization: Gold-3000Ã Nominal  
6 AMPS  
FAST RECOVERY  
RECTIFIER CHIP  
50 - 150 VOLTS  
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design  
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or  
JANKCF  
Chip Type: RA  
TYPE  
VR  
VBR  
IO Tj = 75°C  
JANHCE1N5807  
JANHCE1N5809  
JANHCE1N58011  
JANKCE1N5807  
JANKCE1N5809  
JANKCE1N58011  
50V  
100V  
150V  
50V  
100V  
150V  
60V  
110V  
160V  
60V  
110V  
160V  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
6.0A  
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAX.  
UNITS  
Reverse Current  
Rated V , T = 25°C  
I
R
.01  
5
mA  
R
C
Reverse Current  
Rated V , T = 100°C  
I
1.0  
.84  
45  
150  
.875  
60  
mA  
Volts  
Pf  
R
C
R
Forward Voltage Drop I = 4A, T = 25°C  
V
F
F
C
Junction Capacitance @ V = 10V  
Cj  
R
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAX.  
UNITS  
Reverse Recovery Time  
I = 1A, I = 1A, I = 0.1A  
Trr  
Vrr  
2.5  
1.5  
30  
2.2  
15  
ns  
V
F
R
RR  
Forward Recovery Voltage @ 1A Tr = 8ns  
Forward Recovery Time  
I
= 500 mA  
ns  
FM  
MSC1345.PDF 02-23-99  
123

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与JANHCF1N5809相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANHCF1N5811 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, DIE-1
JANIN6626US MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS,
JANIN6628US MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.15A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS,
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JANJ2N2907A MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
JANJ2N6989 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Glass
JANKC1N3822A CDI-DIODE

获取价格

 		Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional,
JANKC1N3823A CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional,
JANKC1N3824A CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional,

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