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JANJ2N6989

更新时间： 2024-09-30 21:19:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	53K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, CERDIP-14

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JANJ2N6989 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-GDIP-T14	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-GDIP-T14
元件数量：	4	端子数量：	14
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/559
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANJ2N6989 数据手册

Data Sheet No. 2N6989

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N6989

Type 2N6989

Geometry 0400

Polarity NPN

REF: MIL-PRF-19500/559

Qual Level: JAN - JANS

Features:

An array of four independent NPN

silicon switching transistors.

Housed in a cerdip case.

Also available in chip form using

the 0400 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/559 which

Semicoa meets in all cases.

The Typ values are actual batch

Cerdip

averages for Semicoa.

Radiation Graphs available.

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

6.0

800

^oC

T_J

-65 to +200

^oC

T_STG

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