是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-7 | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.24 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-204AH | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.475 W | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | MIL-19500/159 | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.062 mV/ °C | 最大电压容差: | 4.84% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N827(DO35) | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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JAN1N827-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827-1(DO35) | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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JAN1N827-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827A | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827A-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827A-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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JAN1N827A-1-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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