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JAN1N6627U

更新时间: 2024-09-28 13:02:43
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管超快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管
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2页 104K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, Silicon,

JAN1N6627U 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.39
Is Samacsys:N应用:ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:75 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:4 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/590F
最大反向恢复时间:0.03 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

JAN1N6627U 数据手册

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