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JAN1N6322US

更新时间: 2024-02-16 20:24:17
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 96K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6322US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-XELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.2其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:5 ΩJESD-30 代码:O-XELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/533F标称参考电压:8.2 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

JAN1N6322US 数据手册

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