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JAN1N6325US

更新时间: 2024-01-28 01:27:09
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 100K
描述
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6325US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.1
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:7 Ω
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500标称参考电压:11 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

JAN1N6325US 数据手册

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