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JAN1N6324US

更新时间: 2024-02-28 02:02:42
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 233K
描述
Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

JAN1N6324US 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.27
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:6 ΩJESD-30 代码:O-XELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/533F
标称参考电压:10 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

JAN1N6324US 数据手册

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JAN1N6324US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6324US MICROSEMI

完全替代

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,
JANS1N6324US MICROSEMI

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