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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| J309L18-1 | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309L18-2 | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309L-1TA | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309L-1TR1 | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309L-2TA | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309L-2TR1 | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309L34Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309LTA | TEMIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309LTR | TEMIC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| J309LTR1 | VISHAY |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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