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J309RLRP

更新时间： 2024-10-02 18:25:19

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	63K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, FET RF Small Signal

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J309RLRP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	25 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	2.5 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J309RLRP 数据手册

J309, J310

Preferred Device

JFET VHF/UHF Amplifiers

N−Channel — Depletion

Features

http://onsemi.com

• Pb−Free Packages are Available*

1 DRAIN

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Drain−Source Voltage

Vdc

GATE

Gate−Source Voltage

Forward Gate Current

Vdc

mAdc

2 SOURCE

Total Device Dissipation @ T = 25°C

350

2.8

mW/°C

Derate above = 25°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

−65 to +125

−65 to +150

°C

stg

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

TO−92

CASE 29−11

STYLE 5

MARKING DIAGRAM

J3xx

AYWW G

J3xx = Device Code

xx = 09 or 10

= Assembly Location

= Year

WW = Work Week

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 3 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

Publication Order Number:

March, 2006 − Rev. 1

J309/D

12 3 4 5

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与J309RLRP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
J309-T/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, TO-92, 3 PIN, FET RF Sma
J309TA	CALOGIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
J309-TA	VISHAY	获取价格	Transistor
J309-TA13-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
J309-TA-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
J309-TO-92	Linear	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
J309-TO-92-3L	Linear	获取价格	Transistor,
J309-TO-92-3L-ROHS	Linear	获取价格	Transistor,
J309TR1	CALOGIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
J309-TR1	VISHAY	获取价格	Transistor

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