Datasheet > J108L-E3

J108L-E3

更新时间： 2024-02-19 19:37:19

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		瞄准线开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	43K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

J108L-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.63	其他特性：	LOW INSERTION LOSS
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	15 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J108L-E3 数据手册

J/SST108 Series

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Capacitance vs. Gate-Source Voltage

Transconductance vs. Drain Current

100

= –4 V

GS(off)

V_DS= 0 V

f = 1 MHz

= –55_C

25_C

125_C

iss

V_DS= 5 V

f = 1 kHz

rss

–4

–8

–12

–16

–20

100

100 k

100

V_GS– Gate-Source Voltage (V)

– Drain Current (mA)

Forward Transconductance and Output Conductance

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

Noise Voltage vs. Frequency

200

100

and g @ V_DS= 5 V

_GS= 0 V, f = 1 kHz

V_DS= 5 V

160

120

I_D= 10 mA

40 mA

–2

–4

–6

–8

–10

100

1 k

10 k

_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

f – Frequency (Hz)

Gate Leakage Current

Common Gate Input Admittance

100 nA

10 nA

1 nA

100

= 125_C

5 mA

I =10 mA

1 mA

I_GSS@ 125_C

= 25_C

100 pA

10 pA

1 pA

5 mA

1 mA

10 mA

= 25_C

_DG= 20 V

_D= 20 mA

@ 25_C

GSS

0.1

f – Frequency (MHz)

_DG– Drain-Gate Voltage (V)

Document Number: 70231

S-04028—Rev. E, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-4

1 2 345

下载PDF

与J108L-E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
J108LTA	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A	获取价格
J108LTA	TEMIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A	获取价格
J108LTR	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A	获取价格
J108LTR	TEMIC	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A	获取价格
J108LTR1	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A	获取价格
J108LTR-E3	VISHAY	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN, FET General	获取价格