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J108-TR3

更新时间： 2024-01-21 00:04:43

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威世 - VISHAY		瞄准线开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	68K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

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J108-TR3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.63	其他特性：	LOW INSERTION LOSS
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	15 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J108-TR3 数据手册

J/SST108 Series

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Common Gate Forward Admittance

Common Gate Reverse Admittance

100

–g

= 25_C

_DG= 20 V

_D= 20 mA

1.0

–g

–b

0.1

= 25_C

_DG= 20 V

I_D= 20 mA

0.1

0.01

100

f – Frequency (MHz)

Common Gate Output Admittance

100

= 25_C

_DG= 20 V

I_D= 20 mA

0.1

f – Frequency (MHz)

100

V_DD

SWITCHING TIME TEST CIRCUIT

J/SST108

J/SST109

J/SST110

R_L

V_GS(L)

–12 V

150 W

10 mA

–7 V

–5 V

OUT

R *

150 W

10 mA

150 W

10 mA

V_GS(H)

D(on)

*Non-inductive

V_GS(L)

1 kΩ

51 Ω

INPUT PULSE

SAMPLING SCOPE

V_IN

Scope

Rise Time < 1 ns

Fall Time < 1 ns

Pulse Width 100 ns

PRF 1 MHz

Rise Time 0.4 ns

Input Resistance 10 MW

Input Capacitance 1.5 pF

Document Number: 70231

www.vishay.com

S-04028—Rev. E, 04-Jun-01

7-5

1 2 3 456

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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