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J108-18-E3

更新时间： 2024-01-14 08:33:10
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 69K
描述
Transistor

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J108-18-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83FET 技术：JUNCTION
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

J108-18-E3 数据手册

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J/SST108 Series  
Vishay Siliconix  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25 V  
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C  
a
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
1
Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C  
16  
Notes  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C  
a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C  
SPECIFICATIONS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Limits  
J/SST108  
J/SST109  
J/SST110  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Typa  
Min Max Min Max Min Max Unit  
Static  
Gate-Source  
Breakdown Voltage  
V
I
G
= –1 mA , V = 0 V  
–32  
–25  
–25  
–25  
(BR)GSS  
DS  
V
Gate-Source Cutoff Voltage  
V
V
= 5 V, I = 1 mA  
–3  
–10  
–3  
–2  
–6  
–3  
–0.5  
–4  
–3  
GS(off)  
DS  
D
b
Saturation Drain Current  
I
V
= 15 V, V = 0 V  
80  
40  
10  
mA  
DSS  
DS  
GS  
V
= –15 V, V = 0 V  
–0.01  
–5  
GS  
DS  
Gate Reverse Current  
Gate Operating Current  
Drain Cutoff Current  
I
GSS  
T
A
= 125_C  
I
G
–0.01  
0.02  
1.0  
V
V
= 10 V, I = 10 mA  
nA  
DG  
D
= 5 V, V = –10 V  
3
8
3
3
DS  
GS  
I
D(off)  
T
A
= 125_C  
Drain-Source  
On-Resistance  
r
V
= 0 V, V v 0.1 V  
12  
W
18  
DS(on)  
GS  
DS  
Gate-Source  
Forward Voltage  
V
I
G
= 1 mA , V = 0 V  
0.7  
V
GS(F)  
DS  
Dynamic  
Common-Source  
Forward Transconductance  
g
17  
fs  
V
= 5 V, I = 10 mA, f = 1 kHz  
D
mS  
DS  
Common-Source  
Output Conductance  
g
os  
0.6  
Drain-Source  
On-Resistance  
r
V
= 0 V, I = 0 mA , f = 1 kHz  
GS D  
W
8
12  
18  
ds(on)  
V
= 0 V  
= 0 V  
SST  
J Series  
SST  
60  
60  
11  
11  
DS  
Common-Source  
Input Capacitance  
C
V
iss  
GS  
85  
15  
85  
15  
85  
15  
f = 1 MHz  
pF  
V
= 0 V  
= –10 V  
DS  
Common-Source Reverse  
Transfer Capacitance  
C
rss  
V
GS  
J Series  
f = 1 MHz  
Equivalent Input  
Noise Voltage  
nV⁄  
√Hz  
V
= 5 V, I = 10 mA  
f = 1 kHz  
DG  
D
e
n
3.5  
Switching  
t
3
1
d(on)  
Turn-On Time  
t
r
V
= 1.5 V, V  
= 0 V  
DD  
GS(H)  
ns  
See Switching Diagram  
t
4
d(off)  
Turn-Off Time  
Notes  
t
18  
f
a. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.  
NIP  
b. Pulse test: PW v300 ms duty cycle v3%.  
Document Number: 70231  
S-04028—Rev. E, 04-Jun-01  
www.vishay.com  
7-2  
123456

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与J108-18-E3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
J108-AMMO NXP TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, FET General Purpose Small Signa

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J108D26Z FAIRCHILD Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92

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