J107LTA

更新时间： 2024-01-08 03:10:49

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威世 - VISHAY		/
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5页	43K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA

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J107LTA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	35 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

J107LTA 数据手册

J105/106/107

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

On-Resistance and Drain Current

vs. Gate-Source Cutoff Voltage

On-Resistance vs. Drain Current

2 .0

r_DS@ I_D= 10 mA, V_GS= 0 V

I_DSS@ V_DS= 10 V, V_GS= 0 V

= 25_C

1.6

1.2

0.8

0.4

V_GS(off)= –3 V

r_DS

I_DSS

–5 V

–8 V

–2

–4

–6

–8

–10

100

I_D– Drain Current (mA)

1000

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

On-Resistance vs. Temperature

Output Characteristics

500

I_D= 10 mA

_DSchanges X 0.7%/_C

V_GS(off)= –5 V

= 0 V

400

300

–0.5 V

–1.0 V

V_GS(off)= –3 V

–1.5 V

–2.0 V

–5 V

200

–8 V

–2.5 V

–3.0 V

100

–55 –35 –15

85 105 125

– Temperature (_C)

V_DS– Drain-Source Voltage (V)

Turn-On Switching

Turn-Off Switching

independent of device V_GS(off)

d(off)

t approximately independent of I_D

V_DD= 1.5 V, R_G= 50 ꢀ

V_GS(L)= –10 V

V_DD= 1.5 V, V_GS(L)= –10 V

@ I_D= 30 mA

d(off)

d(on)

V_GS(off)= –3 V

@ I_D= 10 mA

V_GS(off)= –8 V

d(on)

–2

–4

–6

–8

–10

V_GS(off)– Gate-Source Cutoff Voltage (V)

I_D– Drain Current (mA)

Document Number: 70230

S-04028—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

7-3

1 234 5

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