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J108

更新时间： 2024-01-30 00:58:40

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2页	279K
描述
LOW NOISE SINGLE N-CHANNEL JFET SWITCH

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J108 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.63	其他特性：	LOW INSERTION LOSS
配置：	SINGLE	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	15 pF
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

J108 数据手册

J/SST108 SERIES

LOW NOISE SINGLE

N-CHANNEL JFET SWITCH

Linear Integrated Systems

FEATURES

Direct Replacement for Siliconix J/SST: 108, 109, 110, & 110A

LOW ON RESISTANCE

FAST SWITCHING

r_DS(on)≤ 8Ω

t_ON≤ 4ns

J SERIES

TO-92

BOTTOM VIEW

SST SERIES

SOT-23

TOP VIEW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

Storage Temperature

-55 to 150°C

Junction Operating Temperature

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation

Maximum Currents

Gate Current

Maximum Voltages

350mW

50mA

-25V

Gate to Drain or Source

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25 °C (unless otherwise stated)

J/SST108

J/SST109

J/SST110

SYM.

CHARACTERISTIC

TYP

UNIT CONDITIONS

I_G= -1µA, V_DS= 0V

MIN MAX MIN MAX MIN MAX

BV_GSSGate to Source Breakdown Voltage

V_GS(off)Gate to Source Cutoff Voltage

V_GS(F)

I_DSS

I_GSS

I_G

-25

-3

-25

-2

-25

-10

-3

-6

-3

-0.5

-4

-3

V_DS= 5V, I_D= 1µA

Gate to Source Forward Voltage

Drain to Source Saturation Current²

Gate Leakage Current

Gate Operating Current

Drain Cutoff Current

0.7

I_G= 1mA, V_DS= 0V

V_DS= 15V, V_GS= 0V

V_GS= -15V, V_DS= 0V

V_DG= 10V, I_D= 10mA

V_DS= 5V, V_GS= -10V

-0.01

0.02

I_D(off)

108, 109, 110

110A

Drain to Source

On Resistance

r_DS(on)

Ω

V_GS= 0V, V_DS≤ 0.1V

DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25 °C (unless otherwise stated)

J/SST108

J/SST109

J/SST110

SYM.

CHARACTERISTIC

TYP

UNIT CONDITIONS

MIN MAX MIN MAX MIN MAX

g_fs

g_os

Forward Transconductance

Output Conductance

0.6

_DS= 5V, I_D= 10mA

f = 1kHz

V_GS= 0V, I_D= 0A

r_ds(on)

Drain to Source On Resistance

Ω

f = 1kHz

SST

V_DS= 0V, V_GS= 0V

C_iss

Input Capacitance

f = 1MHz

SST

Reverse Transfer

Capacitance

V_DS= 0V, V_GS= -10V

C_rss

e_n

f = 1MHz

V_DS= 5V, I_D= 10mA

nV/√Hz

Equivalent Input Noise Voltage

3.5

f = 1kHz

Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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J108(SOT-23)	MICROSS	Transistor	获取价格
J108(TO-18)	MICROSS	Transistor	获取价格
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J108/D10Z(OPTION18)	TI	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92	获取价格
J108/D10Z(OPTION5)	TI	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92	获取价格

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