IXTQ30N50L2

更新时间： 2024-01-11 20:55:28

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	147K
描述
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ30N50L2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXTQ30N50L2 数据手册

IXTH30N50L2 IXTQ30N50L2

IXTT30N50L2

Fig. 7. Input Admittance

Fig. 8. Transconductance

T_J= - 40ºC

25ºC

T_J= 125ºC

25ºC

- 40ºC

125ºC

3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 9.5

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

V_DS= 250V

_D= 15A

_G= 10mA

T_J= 125ºC

T_J= 25ºC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

100

150

200

250

300

350

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 12. Maximum Transient Thermal

Impedance

Fig. 11. Capacitance

100,000

10,000

1,000

100

1.00

0.10

0.01

= 1 MHz

iss

oss

rss

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

V_DS- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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