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IXBOD1-21RD PDF预览

IXBOD1-21RD

更新时间： 2024-02-08 22:14:20
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
RVS Blocking BOD, 2100V V(BO) Max,

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IXBOD1-21RD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.64最大转折电压：2100 V
最小转折电压：2050 V配置：SINGLE
最大维持电流：30 mA标称维持电流：30 mA
JESD-30 代码：R-PSIP-T2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
子类别：Breakover Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：RVS BLOCKING BOD
Base Number Matches：1

IXBOD1-21RD 数据手册

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IXBOD 1 -12R...42R(D)  
Version: RD  
Breakover Diode Modules  
Version: R  
VBO  
V
Standard  
Types  
BOD -  
VBO  
V
Standard  
Types  
BOD -  
VBO  
V
Standard  
Types  
BOD -  
Elements  
Elements  
Elements  
1200 ±50 IXBOD 1 -12R(D)  
1300 ±50 IXBOD 1 -13R(D)  
1400 ±50 IXBOD 1 -14R(D)  
1500 ±50 IXBOD 1 -15R(D)  
1600 ±50 IXBOD 1 -16R(D)  
1700 ±50 IXBOD 1 -17R(D)  
1800 ±50 IXBOD 1 -18R(D)  
1900 ±50 IXBOD 1 -19R(D)  
2
2
2
2
2
2
2
2
2000 ±50 IXBOD 1 -20R(D)  
2100 ±50 IXBOD 1 -21R(D)  
2200 ±50 IXBOD 1 -22R(D)  
2300 ±50 IXBOD 1 -23R(D)  
2400 ±50 IXBOD 1 -24R(D)  
2500 ±50 IXBOD 1 -25R(D)  
2600 ±100 IXBOD 1 -26R(D)  
2800 ±100 IXBOD 1 -28R(D)  
3000 ±100 IXBOD 1 -30R(D)  
3200 ±100 IXBOD 1 -32R(D)  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3400 ±100 IXBOD 1 -34R  
3600 ±100 IXBOD 1 -36R  
3800 ±100 IXBOD 1 -38R  
4000 ±100 IXBOD 1 -40R  
4200 ±100 IXBOD 1 -42R  
4
4
4
4
4
2-3 BODs  
Symbol  
Test Conditions  
TVJ  
2 BODs  
3 BODs  
4 BODs  
D-Version  
ID  
=
125°C;V = 0,8x VBO  
100  
100  
100  
100  
µA  
VBO  
IRMS  
VBO(TVJ) = VBO, 25°C [1 + KT (TVJ - 25°C)]  
f = 50 HZ;  
Tamb = 50°C  
2.0  
1.4  
1.1  
0.3  
A
connection pins soldered to printed circuit  
(conductor 0,035x2mm)  
IAVM  
ISM  
I²t  
1.25  
200  
2
0.9  
200  
2
0.7  
200  
2
0.2  
50  
A
A
A2s  
tp = 0.1 ms; Tamb = 50°C non repetitive  
tp = 0.1 ms; Tamb = 50°C  
TVJ =125°C; IT = 5A  
0.125  
27  
VT  
3.4  
2.2  
0.24  
5.1  
3.3  
0.36  
6.8  
4.4  
0.48  
V
V(TO)  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ =125°C  
17.5  
3
V
Ω
Tamb  
Tstg  
TVJm  
-40...+125  
-40...+125  
125  
-40...+125  
-40...+125  
125  
-40...+125  
-40...+125  
125  
-40...+125  
-40...+125  
125  
°C  
°C  
°C  
K-1  
KT Temperatur coefficient of VBO  
2·10-3  
2·10-3  
2·10-3  
2·10-3  
KP coefficient for energy per pulse EP (material constant)  
700  
700  
700  
700  
K/Ws  
RthJA  
- natural convection  
- with air speed 2 m/s  
20  
16  
20  
16  
20  
16  
20  
16  
K/W  
K/W  
Weight  
typical  
14  
14  
14  
14  
g
Symbol  
IBO  
Test Conditions Characteristic Values both Versions R & RD 2 BODs  
3 BODs  
15  
4 BODs  
15  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
=
=
=
=
25°C  
25°C  
25°C  
15  
30  
mA  
mA  
V
IH  
30  
30  
VH  
4 - 8  
4 - 8  
4 - 8  
(dv/dt)C  
50°C;  
VD = 0.67·(VBO + 100V)  
- VBO  
bis 1500V  
> 1000  
> 1500  
-
-
-
-
-
-
V/µs  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
V/µs  
- VBO 1600 - 2000V  
- VBO 2100 - 2500V  
- VBO 2600 - 3000V  
- VBO 3200 - 3400V  
- VBO 3600 - 4200V  
-
-
-
-
> 2000  
> 2500  
-
-
> 3000  
> 3500  
(di/dt)C  
tq(typ)  
TVJ = 125°C;  
VD = VBO ; IT = 80A; f = 50 Hz  
200  
150  
200  
150  
200  
150  
A/µs  
µs  
TVJ = 125°C  
VD = 0.67·VBO ; VR = 0V  
dv/dt(lin.) = 200V/µs; IT = 80A; di/dt = -10A/µs  
IXYS reserve at these the right to change limits, test conditions and dimensions; Data according to IEC 60747  
© 2000 IXYS All rights reserved  
H - 4  
12345678

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与IXBOD1-21RD相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXBOD1-22 IXYS Symmetrical BOD, 2200V V(BO) Max,

获取价格
IXBOD1-22D IXYS Breakover Diode, 2250V V(BO) Max

获取价格
IXBOD1-22R IXYS RVS Blocking BOD, 2200V V(BO) Max,

获取价格
IXBOD1-22R LITTELFUSE Breakover Gen1系列提供各种电压范围的转折二极管，具有快速导通特性、低温度依赖

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IXBOD1-22RD IXYS RVS Blocking BOD, 2200V V(BO) Max,

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IXBOD1-22RD LITTELFUSE Breakover Gen1系列提供各种电压范围的转折二极管，具有快速导通特性、低温度依赖

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